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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 3LN01S-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3LN01S-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3LN01S-TL-E价格参考。ON Semiconductor3LN01S-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3LN01S-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3LN01S-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的3LN01S-TL-E是一款P沟道增强型MOSFET（单个），采用超小型SOT-416（SC-75）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为3.2Ω @ Vgs = –4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 1.1nC）和低阈值电压（Vgs(th)约–0.5V至–1.0V），适合低压、小电流开关应用。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速启停； ✅ LED驱动与背光控制：在小型LCD/OLED显示屏中作为LED电流路径的高侧/低侧开关，利用其快速开关特性（tr/tf < 10ns）实现PWM调光； ✅ 逻辑电平转换与信号切换：在3.3V/1.8V系统中配合MCU GPIO驱动，实现电平兼容的数字信号通断控制； ✅ DC-DC转换器辅助电路：用于同步整流、使能控制或反馈环路中的精密开关，提升轻载效率； ✅ IoT传感器节点电源选通：在低功耗无线模块（如BLE、Zigbee）中周期性唤醒传感器，降低静态电流（IDSS < 100nA），延长电池寿命。 该器件工作电压范围宽（–12V VDSS），ESD防护达±2kV（HBM），且无铅、符合RoHS，适用于空间受限、对成本与可靠性敏感的消费类及工业级小型化设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3LN01S-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.58nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 欧姆 @ 80mA，4V |
| 供应商器件封装 | SMCP |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 150mA （Ta） |
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