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- 型号： 3EZ91DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ91DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ91DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ91DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ91DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ91DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ91DE3/TR12 是 Vishay（威世）生产的 91V、1.3W 表面贴装齐纳二极管（DO-214AC/SMA 封装），具有±5%电压容差和低动态阻抗。其典型应用场景包括： 1. 稳压与基准电压源：在低压电源或辅助电路中，为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定的91V基准电压（需配合限流电阻使用）； 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成过压触发保护电路，当输入电压异常升高至约91V时导通，拉低控制信号或关断主功率器件，常用于工业电源、LED驱动器或适配器的输入级防护； 3. 浪涌箝位：在瞬态抑制要求不极端的场合（如继电器线圈反电动势吸收、低频信号线防护），限制感应电压尖峰不超过91V，保护后级IC或MOSFET； 4. 电压检测与监控：用于高压DC链路（如变频器母线、光伏逆变器直流侧）的分压采样电路中，作为阈值检测元件，触发报警或保护逻辑。 注：该器件额定功率1.3W，适用于中小功率、中等频率（<1kHz）稳压/保护场景；不适用于高频开关噪声抑制或大能量ESD防护（应选专用TVS）。实际应用需确保功耗在安全范围内，并注意SMT焊接热应力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 91V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ91DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 69.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 91V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 115 欧姆 |
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