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产品简介:
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Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ91D5/TR8是一款91V、1.3W的玻璃封装齐纳二极管(单管),采用DO-41封装,带卷带包装(TR8表示每卷8000只)。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗、非精密电源中为模拟电路、传感器或微控制器提供稳定的91V参考电压,如工业控制板中的高压偏置电路。 2. 过压保护(OVP):与可控硅(SCR)或晶闸管配合构成撬棒(Crowbar)电路,在电源异常升压(如>91V)时触发短路保护,防止后级器件损坏。 3. 浪涌箝位:用于通信接口(如RS-485长线)或继电器线圈反电动势吸收,将瞬态高压箝位于91V附近,抑制EMI并提升系统可靠性。 4. 测试与校准设备:作为简易高压基准源,用于万用表、电源适配器的出厂校准或维修检测。 需注意:该器件为玻璃钝化结构,温度系数约+0.07%/°C(91V属高值齐纳,主要依赖雪崩击穿),长期稳定性好但精度有限(容差通常±5%),不适用于高精度基准;最大功率1.3W要求合理散热,建议限流电阻匹配以避免热失效。实际应用中应结合数据手册确认ESD等级、瞬态功率能力及降额曲线。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 91V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ91D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 69.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 91V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 115 欧姆 |