Datasheet下载- 型号： 3EZ9.1DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ9.1DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ9.1DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ9.1DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ9.1DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ9.1DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ9.1DE3/TR12是一款9.1V、500mW通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装，符合AEC-Q200（汽车级）和RoHS标准。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路中为ADC参考源、传感器供电或运算放大器偏置提供稳定9.1V基准电压；适用于电池供电设备中对精度要求不苛刻但需成本优化的稳压场合。 2. 过压保护（钳位）：常用于IC输入/输出端口（如微控制器GPIO、通信接口）的ESD和瞬态电压抑制，将异常电压钳位于9.1V附近，配合限流电阻实现简单可靠的保护。 3. 电源轨箝位与反馈：在线性稳压器（如78xx系列）的反馈网络或开关电源的初级侧电压检测中，辅助构建分压反馈环路，提升输出稳定性。 4. 工业与汽车电子：凭借AEC-Q200认证，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、仪表盘及工业PLC等对温度范围（-65°C ~ +175°C）和长期可靠性有要求的场景。 该器件具有低动态阻抗（典型值10Ω）、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.06%/°C）及高浪涌耐受能力（可达5A），适合中低频、中小电流（≤50mA）应用，不适用于高频或大功率稳压。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 9.1V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ9.1DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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