Datasheet下载- 型号： 3EZ9.1D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ9.1D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ9.1D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ9.1D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ9.1D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ9.1D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ9.1D5E3/TR8是一款9.1V、3W表面贴装齐纳二极管（虽型号含“EZ”系列传统命名，但TR8后缀表明为卷带包装的SMD版本，实际封装为DO-214AC/SMA）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为ADC、传感器或运放提供稳定9.1V参考电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，钳位敏感电路节点（如MCU I/O口、通信接口）的瞬态过压，防止ESD或浪涌损坏； 3. 电源反馈环路：用于开关电源（如反激式适配器）的次级侧电压采样与误差放大反馈网络； 4. 电平转换与箝位：在信号链中限制模拟/数字信号摆幅，防止超限输入； 5. 低成本稳压替代方案：适用于对精度要求不苛刻（容差±5%，动态阻抗约10Ω）、成本敏感的工业控制板、LED驱动或家电电源模块。 注意：该器件为单齐纳结构，无内置温度补偿，长期稳定性及温漂优于普通稳压管但不及专用基准芯片（如TL431），适用环境温度范围通常为–65°C至+175°C，适合工业及汽车电子外围电路。使用时需确保功耗不超过3W，并合理设计散热路径。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 9.1V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ9.1D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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