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产品简介:
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Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ9.1D5/TR8是一款9.1V、5%容差、0.5W功率的齐纳二极管,采用DO-41封装,卷带包装(TR8)。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗电路中为ADC参考源、传感器供电或运放偏置提供稳定9.1V基准电压;适用于输入电压波动不大、负载电流较小(通常<10mA)的场合。 2. 过压保护与钳位:与TVS或限流电阻配合,用于IC输入端的瞬态电压钳位(如微控制器I/O口保护),将异常电压限制在9.1V左右,防止后级器件损坏。 3. 电源反馈与误差检测:在线性稳压器(如78xx系列辅助电路)或开关电源的反馈分压网络中,作为精密基准参与输出电压设定与调整。 4. 低成本嵌入式系统:广泛应用于工业控制板、仪表显示模块、通信设备辅助电源及消费类电子(如机顶盒、打印机电源管理)中,满足对成本敏感、性能要求适中的稳压需求。 注意:该器件为通用型齐纳管,温度系数约−1.5 mV/°C(典型值),不适用于高精度或宽温域场景;设计时需确保功耗不超过500mW,并预留足够散热余量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 9.1V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ9.1D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 9.1V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 2.5 欧姆 |