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  • 型号: 3EZ9.1D5/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ9.1D5/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ9.1D5/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ9.1D5/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ9.1D5/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ9.1D5/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ9.1D5/TR8是一款9.1V、5%容差、0.5W功率的齐纳二极管,采用DO-41封装,卷带包装(TR8)。其典型应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:在低功耗电路中为ADC参考源、传感器供电或运放偏置提供稳定9.1V基准电压;适用于输入电压波动不大、负载电流较小(通常<10mA)的场合。

2. 过压保护与钳位:与TVS或限流电阻配合,用于IC输入端的瞬态电压钳位(如微控制器I/O口保护),将异常电压限制在9.1V左右,防止后级器件损坏。

3. 电源反馈与误差检测:在线性稳压器(如78xx系列辅助电路)或开关电源的反馈分压网络中,作为精密基准参与输出电压设定与调整。

4. 低成本嵌入式系统:广泛应用于工业控制板、仪表显示模块、通信设备辅助电源及消费类电子(如机顶盒、打印机电源管理)中,满足对成本敏感、性能要求适中的稳压需求。

注意:该器件为通用型齐纳管,温度系数约−1.5 mV/°C(典型值),不适用于高精度或宽温域场景;设计时需确保功耗不超过500mW,并预留足够散热余量。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 9.1V 5% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ9.1D5/TR8

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

3µA @ 7V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

9.1V

阻抗(最大值)(Zzt)

2.5 欧姆

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