Datasheet下载- 型号： 3EZ9.1D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ9.1D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ9.1D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ9.1D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ9.1D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ9.1D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ9.1D10/TR12是一款9.1V、500mW玻璃封装齐纳二极管，采用DO-35（DO-204-AH）封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）中提供稳定9.1V基准电压，适用于对精度和温漂要求不苛刻的场合。 2. 过压保护与箝位：用于IC输入/输出端口的ESD防护或瞬态电压抑制（TVS辅助），将异常电压箝位在约9.1V，防止后级器件损坏（需配合限流电阻使用）。 3. 电源反馈环路：在小功率线性稳压器（如78Lxx系列）或开关电源的光耦反馈电路中，作为误差检测或分压基准元件。 4. 工业与消费电子：广泛应用于电表、家电控制板、LED驱动、电池管理模块等对成本敏感、功耗较低且环境温度适中的嵌入式系统中。 该器件具有±5%标称电压容差、典型动态阻抗约15Ω、反向漏电流低（≤5μA @ 7.3V），适合通用级稳压需求。但因功率仅0.5W，不适用于大电流稳压或高可靠性军工/汽车场景（无AEC-Q200认证）。选型时需注意散热及长期稳定性要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 9.1V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ9.1D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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