Datasheet下载- 型号： 3EZ8.2D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ8.2D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ8.2D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ8.2D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ8.2D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ8.2D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ8.2D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 8.2 V，功率为 3 W，采用 DO-41 塑封直插封装，带卷带包装（TR8 表示卷带盘装），符合 AEC-Q200（部分批次）及 RoHS 要求。 其典型应用场景包括： 1. 电源电压基准与稳压：在低成本线性稳压电路中作为基准源，配合三极管或运放构成简易稳压器，适用于非精密但需稳定参考电压的场合（如工业控制板、家电电源反馈环路）。 2. 过压保护（OVP）与箝位：并联于敏感器件（如MCU I/O口、传感器接口）前，限制瞬态电压尖峰（如ESD、开关噪声），防止损坏；尤其适用于8–9 V工作电压系统的输入端防护。 3. 浪涌吸收与电压箝位电路：在继电器线圈、小型电磁阀驱动回路中，用作续流/反电动势箝位元件，保护驱动晶体管。 4. 模拟电路偏置设置：为运算放大器、比较器等提供固定偏置电压点，例如在信号调理电路中构建分压基准。 该器件具有较陡的击穿特性、较低动态阻抗（约10 Ω @ IZ=100 mA）和良好温度稳定性（TC ≈ +0.06%/°C），适合中等精度要求、成本敏感且对体积无苛刻限制的工业与消费类电子应用。注意：不适用于高精度基准或高频动态箝位场景，设计时需确保散热及最大功耗（3 W）裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 8.2V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ8.2D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.3 欧姆 |
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