Datasheet下载- 型号： 3EZ8.2D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ8.2D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ8.2D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ8.2D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ8.2D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ8.2D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ8.2D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的 8.2V、3W 表面贴装齐纳二极管，具有 ±5% 精度（标称稳压值8.2V）、低动态阻抗及良好温度稳定性。其典型应用场景包括： - 电压基准与稳压：为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定基准电压； - 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，钳位电源线或I/O端口瞬态电压，防止后级IC损坏； - 电源稳压辅助：在低压差线性稳压器（LDO）或开关电源反馈环路中作分压/误差检测元件； - 电平转换与箝位：限制信号摆幅（如RS-232、CAN总线收发器输入端），确保逻辑电平兼容性； - 工业与通信设备：广泛用于PLC模块、基站电源、光模块供电单元等对可靠性要求较高的场景。 该器件采用DO-214AA（SMA）封装，支持自动贴片生产，具备AEC-Q200兼容选项（部分批次），适用于工业级（–65°C 至 +175°C）和汽车电子环境。注意其额定功率为3W，需合理设计散热（如PCB铜箔面积）以避免热失效。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 8.2V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ8.2D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.3 欧姆 |
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