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产品简介:
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3EZ8.2D10/TR8 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为 8.2 V,功率为 3 W(DO-41 封装),容差 ±5%,最大测试电流 IZT 为 41 mA,动态电阻低(典型值约 7 Ω),具有良好的温度稳定性和可靠性。 其典型应用场景包括: 1. 电源电压基准与稳压:在低成本线性稳压电路或分立式稳压器中,为运算放大器、ADC/DAC 或微控制器提供稳定的 8.2 V 参考电压; 2. 过压保护与钳位:与TVS或限流电阻配合,用于保护后级敏感电路(如MCU I/O口、传感器接口)免受瞬态过压(如ESD、感应浪涌)损害; 3. 信号电平箝位与限幅:在模拟信号调理电路中,将交流信号峰值限制在±8.2 V 范围内,防止运放饱和或ADC超量程; 4. 简易稳压电源:适用于小电流负载(<20 mA)的辅助电源,如继电器驱动偏置、LED恒流源基准、电池电压监测阈值设定等; 5. 工业与通信设备:广泛用于工控模块、光模块供电监控、电信接口(如RS-232/485 收发器)的电压保护电路中,得益于其宽工作温度范围(-65°C 至 +175°C)和高可靠性。 注:TR8 表示编带卷盘包装,适合自动化贴片生产。虽为传统通孔封装(DO-41),但常通过转接或手工焊接用于原型验证及中小批量产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 8.2V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ8.2D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 8.2V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 2.3 欧姆 |