Datasheet下载- 型号： 3EZ8.2D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ8.2D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ8.2D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ8.2D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ8.2D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ8.2D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ8.2D10/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 8.2 V，功率为 3 W，DO-41 封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗线性稳压电路中为参考电压源或误差放大器提供稳定基准（如配合三端稳压器或运放使用）； 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成过压保护电路，当输入电压超过 8.2 V 时触发保护动作； 3. 浪涌钳位与ESD防护：在信号线或电源入口处作瞬态电压抑制（TVS 功能有限，适用于低能量脉冲）； 4. 电源反馈环路：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈路径中，为 TL431 等基准器件提供辅助偏置或分压基准； 5. 工业控制与仪器仪表：用于传感器调理电路、ADC 前端限幅、电平转换等对精度和温度稳定性要求适中的场合（该型号具有 ±5% 容差及较低动态阻抗）。 注：因属通用型 3W 齐纳，不适用于高精度（如 ppm 级）、高频或大电流动态负载场景；设计时需注意功耗降额与散热。Microsemi 产品以高可靠性著称，常用于工业、通信及航空航天相关电源子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 8.2V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ8.2D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.3 欧姆 |
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