Datasheet下载- 型号： 3EZ75D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ75D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ75D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ75D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ75D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ75D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ75D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为75 V，功率为3 W，采用DO-41塑料封装，带AEC-Q200兼容设计（E3后缀表符合JEDEC注册及无铅标准，TR12表示卷带包装）。 其主要应用场景包括： - 过压保护电路：用于电源输入端或敏感IC供电轨的钳位保护，防止瞬态高压（如浪涌、ESD）损坏后级器件； - 基准电压源：在中等精度要求的模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考分压）中提供稳定75 V基准点（需配合限流电阻使用）； - 浪涌抑制与箝位：在工业控制、通信设备或车载电子（满足AEC-Q200可靠性要求）中，配合TVS或MOV构成多级防护； - 反馈环路稳压：在开关电源（如反激式辅助绕组反馈）中作为简单稳压元件，监控次级电压并触发保护； - 测试与校准设备：因参数一致性较好，适用于实验室高压基准或老化测试负载。 注意：该器件为通用型齐纳管，非低温漂或高精度系列，不适用于精密电压基准场合；实际应用中需确保功耗≤3 W（即电流≤40 mA），并考虑温度系数影响（典型+0.08%/°C）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 75V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ75D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 56V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 75V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 85 欧姆 |
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