Datasheet下载- 型号： 3EZ75D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ75D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ75D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ75D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ75D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ75D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ75D2/TR12是一款75V、1.3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为参考电路（如ADC/DAC基准、传感器供电）提供稳定75V基准电压，适用于工业控制板、仪表系统等对精度要求适中的场合。 2. 过压保护（OVP）：常用于输入端并联钳位，防止后级电路（如LDO、运放、MCU接口）遭受瞬态高压冲击（如浪涌、ESD或开关噪声），尤其适用于DC-DC转换器输入侧或通信接口防护。 3. 浪涌吸收与箝位电路：配合TVS或限流电阻，构成简易箝位网络，抑制感性负载（继电器、电机）关断时产生的反向电动势，保护驱动MOSFET或光耦。 4. 电源反馈环路：在离线式开关电源（如反激变换器）的初级侧反馈电路中，辅助实现输出电压检测与隔离反馈，提升系统稳定性。 需注意：该器件为通用型齐纳管，动态阻抗相对较高（典型Zzt ≈ 100Ω），不适用于高精度或高频稳压场景；其1.3W功率限制要求合理设计散热及持续功耗（建议长期工作功率≤0.8W）。实际应用中应结合限流电阻选型，并考虑温度系数（TC ≈ +0.07%/°C）对高温环境的影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 75V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ75D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 56V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 75V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 85 欧姆 |
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