Datasheet下载- 型号： 3EZ75D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ75D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ75D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ75D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ75D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ75D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ75D10E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）推出的单齐纳二极管，标称齐纳电压为75V，功率为3W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： - 过压保护与稳压：在电源电路中为敏感器件（如MCU、传感器、接口芯片）提供75V基准钳位或稳压，防止瞬态过压损坏；常用于工业电源、通信设备的次级稳压或反馈环路基准。 - 电压参考与检测：作为高精度（容差±5%）、中功率（3W）的基准源，用于电压监测电路、电池管理系统（BMS）中的高压电池组电压阈值检测，或PLC输入模块的信号调理电路。 - 浪涌抑制与箝位：配合TVS或RC网络，吸收开关噪声、电感反电动势或ESD脉冲，在继电器驱动、电机控制板等存在感性负载的场合实现75V级别箝位保护。 - 模拟电路偏置：在高压运算放大器、光电耦合器隔离供电等场景中，提供稳定偏置电压。 该器件具有良好的温度稳定性与长期可靠性，适用于工业控制、通信基站、仪器仪表及汽车电子（非安全关键系统）等对成本与性能平衡要求较高的中端应用。需注意其最大功耗限制及散热设计，避免持续工作在接近额定功率状态。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 75V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ75D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 56V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 75V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 85 欧姆 |
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