Datasheet下载- 型号： 3EZ7.5D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ7.5D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ7.5D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ7.5D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ7.5D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ7.5D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ7.5D5E3/TR8是一款7.5V、0.5W（500mW）的齐纳二极管，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为模拟传感器、ADC参考源或运算放大器提供稳定7.5V基准电压；适用于电池供电设备、便携式仪表等对精度和温漂有一定要求的场合。 2. 过压保护与箝位：与TVS或限流电阻配合，用于保护后级IC（如MCU I/O口、通信接口）免受瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损害，将电压箝位在约7.5V附近。 3. 电源调节辅助：在简单线性稳压电路（如与三极管构成串联稳压器）中作为基准元件，或用于LDO反馈网络中的分压参考点。 4. 工业与消费电子：常见于电源适配器次级反馈、LED恒流驱动参考、PLC模块信号调理、家电控制板等对成本敏感且功率需求较低的场景。 该器件具有±5%标称电压容差（即7.13–7.88V）、典型动态阻抗约15Ω、反向漏电流小（≤5μA @ 5V），适合中低精度、中小电流（<60mA）稳压应用。不适用于高精度基准或大电流稳压，需注意功耗限制及散热条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 7.5V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ7.5D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 5V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 7.5V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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