Datasheet下载- 型号： 3EZ7.5D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ7.5D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ7.5D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ7.5D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ7.5D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ7.5D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ7.5D2E3/TR8是一款7.5V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AA（SMB）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低压电源中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定7.5V基准电压；适用于线性稳压器（如78L05前级分压或反馈网络）的精密偏置。 2. 过压保护（OVP）与箝位：并联于敏感IC（如MCU I/O口、运放输入端）或通信接口（RS-232、CAN收发器）前端，将瞬态电压箝位在7.5V左右，抑制ESD或浪涌冲击。 3. 电源管理辅助功能：在开关电源反馈环路中用于设定输出电压阈值，或作为欠压/过压检测电路中的参考元件；也常用于电池供电设备的电量监测分压网络。 4. 工业与汽车电子：因具备AEC-Q200兼容性（TR8为卷带包装，支持自动贴片），适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的环境。 该器件具有良好的温度稳定性（TC ≈ ±0.06%/°C）和长期可靠性，适合中功率、高稳定性需求场景，但不适用于大电流稳压（需配合限流电阻使用）。注意设计时须校验功耗（P = Vz × Iz）及散热条件，避免超温失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 7.5V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ7.5D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 5V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 7.5V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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