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  • 型号: 3EZ7.5D10/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ7.5D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ7.5D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ7.5D10/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ7.5D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ7.5D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ7.5D10/TR8是一款7.5V、1W额定功率的齐纳二极管(单管),采用DO-41封装,带卷带包装(TR8表示每卷8000只)。其典型应用聚焦于低功耗、高稳定性的电压基准与保护场景:

1. 精密电压基准:在模拟电路(如传感器信号调理、ADC/DAC参考源)中提供稳定的7.5V基准,配合运放构成基准电压源,适用于对温漂(典型TC ≈ ±0.05%/°C)和长期稳定性要求适中的中端工业设备。

2. 过压保护与钳位:常用于电源输入端或敏感IC引脚(如MCU I/O、通信接口)的瞬态电压抑制(TVS辅助),将异常电压钳位于7.5V附近,防止后级器件因浪涌或反向电压损坏。

3. 稳压电源辅助电路:在小电流线性稳压器(如78Lxx系列)的反馈网络或偏置电路中,作为分压/基准元件;也用于LED恒流驱动的电压设定点。

4. 消费电子与工业控制板:如机顶盒、智能电表、PLC模块等对成本与可靠性平衡要求较高的嵌入式系统中,实现简单、可靠的局部稳压或电压检测功能。

注意:该器件最大齐纳电流约133mA(P=1W/7.5V),不适用于大电流稳压主回路;设计时需考虑功耗散热及温度系数影响。其“D10”后缀代表±10%电压容差(即7.5V±0.75V),适用于精度要求不苛刻的通用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 7.5V 10% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ7.5D10/TR8

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

5µA @ 5V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±10%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

7.5V

阻抗(最大值)(Zzt)

2 欧姆

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