Datasheet下载- 型号： 3EZ7.5D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ7.5D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ7.5D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ7.5D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ7.5D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ7.5D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ7.5D10/TR12是一款7.5V、1W额定功率的齐纳二极管，采用DO-41封装，带“D10”后缀表示±10%电压容差（即标称7.5V，实际范围约6.75V–8.25V），TR12代表卷带包装。 该器件主要应用于低压、中小功率场景下的电压基准与过压保护： - 稳压电路：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、偏置网络）提供简易、低成本的7.5V基准电压； - 浪涌/瞬态抑制：与TVS或限流电阻配合，箝位电源线或I/O端口上的异常电压，防止后级IC损坏； - 电源反馈环路：在非隔离式DC-DC转换器（如线性稳压器LDO或简单开关电源）中作误差检测基准； - 电平转换与阈值检测：用于比较器输入设定固定触发电平，或LED驱动恒流源的电压采样基准。 需注意：其1W功耗要求合理散热（PCB铜箔面积足够），且因±10%容差，不适用于高精度基准场合（此时应选±1%或更严规格型号）。典型工作电流建议维持在5–50mA以兼顾稳定性与温漂。 综上，3EZ7.5D10/TR12适用于对成本敏感、精度要求适中、功率较低的工业控制、消费电子及通信设备中的基础稳压与保护功能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 7.5V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ7.5D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 5V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 7.5V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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