Datasheet下载- 型号： 3EZ68D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ68D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ68D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ68D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ68D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ68D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ68D5/TR12是一款6.8V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置电路）提供稳定基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端或敏感IC引脚的钳位保护，防止瞬态过压损坏； 3. 浪涌抑制：在工业控制、通信接口（如RS-485、CAN总线）中作为简易箝位器件，吸收感应电压尖峰； 4. 电源反馈环路：在小功率开关电源或LDO反馈网络中辅助设定输出电压； 5. ESD防护辅助：在成本敏感型消费电子中，作为二级ESD防护元件（需配合主TVS使用）。 该器件适用于中等功率、高可靠性要求的工业、通信及汽车电子领域（符合AEC-Q200可选认证版本），但不适用于高频或大电流动态负载场景。实际应用中需注意功耗降额（高温下降低至≤2W）、散热设计及避免长期工作在最大额定值边缘。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 68V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ68D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 51.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 68V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 70 欧姆 |
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