Datasheet下载- 型号： 3EZ68D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ68D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ68D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ68D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ68D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ68D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ68D2E3/TR8是一款68V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，具有±2%精密容差（“D”后缀）、AEC-Q200认证（适用于汽车级应用）及卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在电源管理电路中为ADC参考源、运算放大器偏置或微控制器复位电路提供稳定68V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或MOSFET配合构成Crowbar或钳位电路，用于工业电源、通信设备或电池管理系统（BMS）中防止瞬态高压（如雷击、开关浪涌）损坏后级器件； 3. 汽车电子系统：得益于AEC-Q200认证，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）及ADAS供电单元中的稳压/箝位环节； 4. 工业控制与仪表：在PLC输入/输出接口、传感器信号调理电路中实现ESD防护与电压箝位； 5. LED驱动与照明电源：在恒流驱动器反馈环路中辅助稳压，或作为开路保护箝位元件。 该器件具备低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C）及高可靠性，适合要求严苛、需长期稳定工作的中高功率场景。注意其功耗限制（3W），需合理设计散热条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 68V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ68D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 51.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 68V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 70 欧姆 |
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