Datasheet下载- 型号： 3EZ68D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ68D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ68D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ68D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ68D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ68D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ68D2E3/TR12是一款68V、1W额定功率的单齐纳二极管，采用DO-41封装，具有±2%精密容差（“D2”后缀表示该精度），并符合AEC-Q200可靠性标准（适用于汽车级应用）。 其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低压电源系统中为ADC参考、传感器供电或运算放大器偏置提供稳定68V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或可控硅配合，用作浪涌吸收电路中的钳位元件，保护后级敏感器件免受瞬态高压冲击； 3. 工业控制与电源管理：用于开关电源（SMPS）反馈环路、DC-DC转换器输出电压检测及稳压反馈网络； 4. 汽车电子：凭借AEC-Q200认证，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动等对可靠性和温度稳定性要求较高的场景； 5. 测试与测量设备：在高精度校准电路中作为可信赖的电压基准源。 该器件工作结温范围宽（−65°C 至 +175°C），具备良好的热稳定性和长期参数漂移特性，适合严苛环境下的长期运行。需注意其功耗限制（1W），设计时应确保实际功耗不超过额定值，并合理布局散热。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 68V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ68D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 51.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 68V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 70 欧姆 |
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