Datasheet下载- 型号： 3EZ68D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ68D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ68D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ68D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ68D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ68D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ68D10E3/TR12是一款6.8V、1W额定功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器接口中，为ADC参考源、运算放大器偏置或微控制器复位电路提供稳定基准电压（6.8V）； 2. 过压保护与箝位：配合TVS或限流电阻，用于电源输入端或信号线（如RS-232、I/O口）的瞬态电压抑制，将异常电压箝位在6.8V附近，防止后级器件损坏； 3. 电源稳压辅助：在简单线性稳压器（如78xx系列）前端或反馈网络中，作为辅助稳压元件，提升输出精度或实现多级稳压； 4. 浪涌吸收与ESD防护：在工业控制板、通信模块等对成本与可靠性要求较高的场合，用于初级ESD防护或浪涌能量泄放（需配合限流设计）； 5. 温度补偿电路：利用其负温度系数特性，与其他正温度系数元件（如硅二极管）配合，构建温度稳定的基准源。 该器件适用于-65℃~+175℃宽温工业环境，具备高可靠性与长期稳定性，常见于航空航天、工业自动化、医疗设备及通信基础设施等对元器件寿命和一致性要求严苛的应用中。注意：实际使用时需确保功耗不超过1W，并合理设计散热与限流措施。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 68V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ68D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 51.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 68V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 70 欧姆 |
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