Datasheet下载- 型号： 3EZ62D5/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ62D5/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ62D5/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ62D5/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ62D5/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ62D5/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ62D5/TR8是一款62V、3W通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其主要应用场景包括： 1. 稳压与基准电压源：在中功率线性电源或模拟电路中，为运算放大器、ADC/DAC或传感器提供稳定参考电压（如62V基准），适用于工业控制、测试设备等对电压精度要求适中的场合。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感电路前端，配合限流电阻构成简单钳位电路，防止瞬态高压（如浪涌、开关噪声）损坏后级器件，典型用于通信电源、电机驱动板或LED驱动电路。 3. 电压箝位与波形整形：在信号调理电路中限制信号幅值（如将脉冲或反馈信号钳位至62V），防止饱和或误触发；亦可用于箝位式浪涌吸收器（如与TVS协同使用）。 4. 替代/兼容设计：因Microsemi已整合入Microchip，该型号仍广泛用于维护现有工业、军工及通信设备的BOM延续性，尤其在需长期供货保障的嵌入式系统中。 注意：该器件为玻璃钝化结构，具备良好稳定性与可靠性，但不适用于高频或大电流动态箝位场景；实际应用中需校核功耗（P = Vz × Iz）并确保散热条件满足3W额定功率要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 62V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ62D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 47.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 62V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 55 欧姆 |
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