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产品简介:
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Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的型号3EZ62D2E3/TR8是一款62V、1W额定功率的齐纳二极管,采用DO-41封装,表面贴装/通孔兼容,带卷带包装(TR8)。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:为精密模拟电路(如传感器信号调理、ADC/DAC参考源)提供稳定62V基准电压,适用于中等精度要求场合。 2. 过压保护(OVP):常用于电源输入端或敏感IC供电轨,当电压异常升高至62V时导通分流,配合限流电阻实现简单可靠的钳位保护,防止后级器件损坏。 3. 浪涌抑制与箝位:在继电器线圈、电感负载关断或EMI抑制电路中,吸收反向电动势或瞬态尖峰,限制电压不超过62V。 4. 工业与通信电源辅助电路:用于开关电源反馈环路、稳压器旁路、或高压DC链路中的分压/检测节点,保障系统稳定性。 该器件具有±5%容差(D2后缀)、低动态阻抗及良好温度稳定性,适合工作环境较宽(-65°C ~ +175°C)的工业、通信及汽车电子(非安全关键)应用。需注意:实际使用须串联限流电阻,并校核功耗与散热条件,避免长期满载导致热失效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 62V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ62D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 47.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 62V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 55 欧姆 |