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产品简介:
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3EZ62D2/TR12 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为62 V,额定功率为3 W(DO-41封装),采用TR12卷带包装,适用于自动化贴片生产。 其主要应用场景包括: 1. 过压保护电路:在电源输入端或敏感IC供电路径中,作为钳位器件,吸收瞬态浪涌(如ESD、雷击感应脉冲),防止后级电路因电压超限而损坏; 2. 基准电压源:在精度要求不苛刻的模拟电路(如简易稳压器、比较器参考端)中提供稳定的62 V基准点; 3. 浪涌抑制与箝位:配合TVS或RC网络用于工业控制、通信接口(如RS-485总线防护)、LED驱动电源等场景,限制异常高压; 4. 反馈环路稳压:在开关电源(如反激式变换器)的初级侧反馈电路中,辅助实现开环过压保护(OVP)功能; 5. 测试与校准设备:作为可复现的高电压参考点,用于实验室电源或老化测试治具中的电压限幅环节。 需注意:该器件为通用型齐纳管,温度系数与动态阻抗相对较高,不适用于高精度、低温漂或高频动态响应场合;实际应用中应留足功率余量(建议降额至2 W以下),并注意散热设计。 (字数:298)
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 62V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ62D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 47.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 62V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 55 欧姆 |