Datasheet下载- 型号： 3EZ62D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ62D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ62D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ62D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ62D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ62D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ62D10E3/TR12是一款齐纳二极管（单管），标称稳压值为62V，额定功率为3W（“3EZ”系列代表3W玻璃封装齐纳二极管），后缀“D10E3”表示容差±10%，“TR12”指卷带包装。该器件适用于中等功率、高稳定性的电压基准与过压保护场景。 典型应用场景包括： 1. 电源稳压与基准源：在工业电源、DC-DC转换器或线性稳压电路中，为误差放大器、ADC参考或控制IC提供62V基准电压（需配合限流电阻使用）； 2. 过压钳位/浪涌保护：并联于敏感电路（如MOSFET栅极驱动、传感器接口）前，吸收瞬态过压（如感性负载关断、ESD脉冲），防止器件击穿； 3. 电压检测与箝位电路：用于电池管理系统（BMS）中的高压电池组电压监测阈值设定，或在开关电源反馈环路中实现输出过压保护（OVP）； 4. 测试与仪表设备：在高压校准源、电子负载或工控PLC输入模块中，作为可靠、低成本的稳压元件。 其玻璃封装（DO-41）具备良好热稳定性与长期可靠性，适合-65℃~+175℃宽温工业环境。需注意：实际应用中须严格计算功耗（P = Vz × Iz），确保不超过3W额定值，并留足散热余量。不推荐用于高频或大电流动态稳压场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 62V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ62D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 47.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 62V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 55 欧姆 |
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