Datasheet下载- 型号： 3EZ6.8D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.8D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.8D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.8D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.8D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.8D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ6.8D5/TR12是一款额定功率3W、标称稳压值6.8V、容差±5%的单齐纳二极管，采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定基准电压；适用于输入电压波动较大但电流需求较小（≤100mA）的场合。 2. 过压保护（OVP）与箝位：与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端或敏感IC引脚的瞬态电压箝位，防止6.8V以上反向过压损坏后级器件。 3. 浪涌抑制与ESD防护辅助：在消费电子、工业控制板中作为低成本二级保护元件，协同主防护器件吸收残余能量。 4. 电源反馈环路：在简易线性稳压器（如78xx系列辅助稳压）或开关电源反馈分压网络中，提供精确采样基准点。 5. LED恒流驱动偏置：在简单恒流电路中设定基准电压，间接控制LED电流。 该器件具有良好的温度稳定性（TC ≈ ±0.05%/°C）和可靠的老化特性，适用于工业控制、通信设备、仪器仪表及汽车电子（非安全关键系统）等中等可靠性要求场景。注意需合理设计散热（如PCB铜箔面积）以保障3W持续功耗下的长期稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.8V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.8D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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