Datasheet下载- 型号： 3EZ6.8D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.8D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.8D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.8D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.8D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.8D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ6.8D2/TR12是一款6.8V、500mW玻璃封装齐纳二极管（单管），采用DO-35（DO-204-AH）封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）中提供稳定6.8V基准电压；适用于输入波动小、电流需求≤50mA的场合。 2. 过压保护与箝位：与TVS或限流电阻配合，用于IC输入/输出端口的瞬态电压抑制（如微控制器I/O引脚、通信接口ESD防护），将异常电压箝位在6.8V附近，防止后级器件损坏。 3. 电源反馈环路：在简易线性稳压器（如78Lxx系列辅助电路）或光耦反馈电路中，作为误差检测基准元件。 4. 低成本消费电子与工业控制板：因其玻璃封装具备良好高温稳定性（Tj可达200℃）、高可靠性及长期参数一致性，常用于家电控制板、仪表电源模块、LED驱动恒压反馈等对成本敏感且需基础稳压功能的场景。 注：该器件最大齐纳电流约73mA（P=500mW/6.8V），不适用于大电流稳压，设计时需配合限流电阻，并注意功耗与温升。实际应用中建议参考Microchip官方数据手册（DS00002275）进行热设计与容差分析。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.8V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.8D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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