Datasheet下载- 型号： 3EZ6.2DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.2DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.2DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.2DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.2DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.2DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ6.2DE3/TR12是一款6.2V、3W表面贴装齐纳二极管（采用DO-41封装，卷带包装）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置电路）提供稳定、精确的6.2V基准电压；在小电流负载下可作简易并联稳压器。 2. 过压保护与箝位：常用于电源输入端或敏感IC引脚（如MCU I/O、通信接口），配合限流电阻限制瞬态电压（如ESD、浪涌），将电压箝位在约6.2V，防止后级器件损坏。 3. 电平转换与信号整形：在数字电路中实现逻辑电平适配或波形限幅（如将±12V信号限幅为0–6.2V范围）。 4. 工业与汽车电子辅助电路：适用于车载信息娱乐系统、工业控制板中的电源监控、LED恒流驱动的反馈基准等对成本和可靠性要求较高的场合（符合AEC-Q200基础应力标准，具体需查证该批次认证）。 注：该器件为通用型齐纳管，不适用于高精度（如<1%容差）或高温（>125℃）严苛场景；设计时需注意功率降额及热管理。建议查阅Microchip官方数据手册确认最新参数与应用指南。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.2V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.2DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 1.5 欧姆 |
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