Datasheet下载- 型号： 3EZ6.2D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.2D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.2D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.2D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.2D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.2D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ6.2D2E3/TR8是一款6.2V、500mW通孔式齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，符合AEC-Q200可靠性标准（E3等级表示符合汽车级湿度敏感度要求），TR8表示编带卷装。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）中提供稳定6.2V基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，用于IC输入端的钳位保护，防止瞬态电压超过后级器件耐受值； 3. 电源反馈环路：在低成本线性稳压器（如78Lxx辅助电路）或光耦反馈回路中作精密分压/稳压元件； 4. 工业与汽车电子：凭借AEC-Q200兼容性和宽温工作范围（-65°C ~ +175°C），适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、工业PLC接口电路等对可靠性要求较高的环境； 5. 浪涌抑制与ESD防护前端：作为初级钳位器件，吸收小能量脉冲干扰（如IEC 61000-4-4 EFT）。 注意：该器件额定功率仅0.5W，不适用于大电流稳压场合；设计时需确保功耗≤P_Z×I_Z，并留足降额余量。其±5%电压容差（标称6.2V）适合中等精度需求，高精度应用建议选用温度系数更优或带补偿的基准器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.2V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.2D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 1.5 欧姆 |
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