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产品简介:
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Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ6.2D2/TR12是一款6.2V、3W表面贴装齐纳二极管(单管),采用DO-214AC(SMA)封装,具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置电路)提供稳定6.2V基准电压; 2. 过压保护(OVP):与TVS或限流电阻配合,钳位电源线或I/O端口瞬态电压(如ESD、浪涌),防止后级IC损坏; 3. 电源稳压辅助:在简单线性稳压器(如78L05前级)中作预稳压或误差检测节点; 4. 反馈环路控制:用于开关电源(如反激式适配器)的光耦反馈回路中,精确设定输出电压阈值; 5. 工业与通信设备:适用于PLC模块、RS-485收发器供电轨保护、基站监控电路等对温度稳定性(-65℃~+175℃工作范围)和可靠性要求较高的场景。 该器件具备良好的热稳定性和长期可靠性,符合AEC-Q200(部分批次)及工业级标准,广泛用于汽车电子(非安全关键系统)、工控电源及通信基础设施中。注意:实际应用需合理设计功耗(≤3W)、散热及串联限流电阻,避免齐纳区过载。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.2V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.2D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.2V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 1.5 欧姆 |