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  • 型号: 3EZ6.2D2/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.2D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.2D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.2D2/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ6.2D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ6.2D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ6.2D2/TR12是一款6.2V、3W表面贴装齐纳二极管(单管),采用DO-214AC(SMA)封装,具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置电路)提供稳定6.2V基准电压;  
2. 过压保护(OVP):与TVS或限流电阻配合,钳位电源线或I/O端口瞬态电压(如ESD、浪涌),防止后级IC损坏;  
3. 电源稳压辅助:在简单线性稳压器(如78L05前级)中作预稳压或误差检测节点;  
4. 反馈环路控制:用于开关电源(如反激式适配器)的光耦反馈回路中,精确设定输出电压阈值;  
5. 工业与通信设备:适用于PLC模块、RS-485收发器供电轨保护、基站监控电路等对温度稳定性(-65℃~+175℃工作范围)和可靠性要求较高的场景。

该器件具备良好的热稳定性和长期可靠性,符合AEC-Q200(部分批次)及工业级标准,广泛用于汽车电子(非安全关键系统)、工控电源及通信基础设施中。注意:实际应用需合理设计功耗(≤3W)、散热及串联限流电阻,避免齐纳区过载。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 6.2V 2% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ6.2D2/TR12

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

5µA @ 3V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

6.2V

阻抗(最大值)(Zzt)

1.5 欧姆

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