Datasheet下载- 型号： 3EZ56DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ56DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ56DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ56DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ56DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ56DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ56DE3/TR12是一款56V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为运放、ADC/DAC或微控制器提供稳定的56V参考电压，适用于工业传感器信号调理电路。 2. 过压保护（OVP）：作为箝位器件并联于敏感电路（如通信接口、电源输入端），当瞬态电压超过56V时导通分流，配合TVS或限流电阻实现IEC 61000-4-5浪涌防护。 3. 电源反馈环路：在离线式开关电源（如反激变换器）的光耦反馈路径中，辅助设定输出电压精度（需搭配分压网络），提升负载调整率。 4. LED驱动恒流偏置：在高压LED串驱动电路中，为电流检测/控制IC提供稳定偏置电压。 该器件具备高可靠性（AEC-Q200兼容设计）、宽工作温度范围（–65°C至+175°C）及优良的长期稳定性，适用于工业自动化、车载电源、电信设备及仪器仪表等对鲁棒性要求较高的场景。注意：实际应用中需校核功耗（P=Vz×Iz）、散热条件及瞬态响应，避免持续超额定功率运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 56V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ56DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 42.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 56V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 50 欧姆 |
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