Datasheet下载- 型号： 3EZ56D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ56D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ56D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ56D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ56D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ56D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ56D5E3/TR8是一款56V、1.3W通孔式齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 稳压与基准电压源：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）中，提供稳定56V基准电压，适用于工业控制板、仪表电源模块等。 2. 过压保护（OVP）：与晶闸管（SCR）或MOSFET配合构成Crowbar保护电路，当输入电压异常升高（如雷击、浪涌）超过56V时触发保护，防止后级敏感器件损坏，常见于通信电源、工控电源输入端。 3. 电压钳位与箝位电路：用于限制信号或电源轨峰值电压（如继电器线圈反电动势吸收、开关节点电压箝位），保护MCU I/O口或驱动芯片。 4. 简易分立LDO辅助电路：在低成本、非精密场合，与限流电阻组成简易稳压器，为小电流负载（如LED指示、偏置电路）供电。 需注意：该器件为玻璃钝化结构，具备良好稳定性与可靠性，但不适用于高频或大电流动态负载；实际应用中应留足功率裕量（建议≤0.8W持续功耗），并考虑散热条件。TR8表示卷带包装，适用于自动贴装（尽管为通孔器件，部分产线仍可兼容）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 56V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ56D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 42.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 56V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 50 欧姆 |
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