Datasheet下载- 型号： 3EZ56D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ56D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ56D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ56D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ56D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ56D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ56D5/TR12是一款56V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-41封装（TR12表示编带卷装）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为ADC参考源、传感器供电或运放偏置提供稳定56V基准电压，适用于工业控制、仪器仪表等对精度要求适中的场合。 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或MOSFET配合构成Crowbar电路，当输入电压异常升高至56V左右时触发保护，防止后级敏感器件（如MCU、通信模块）损坏。 3. 浪涌钳位：在继电器线圈、感性负载关断回路中吸收反向电动势，限制瞬态电压尖峰，提升系统可靠性。 4. ESD防护辅助：作为二级防护器件，与TVS协同抑制中等能量静电或EFT干扰（需注意其响应速度和功率限制，不替代专用ESD器件）。 该器件具有±5%电压容差、低动态阻抗（典型值约80Ω）及良好温度稳定性（TCV ≈ +0.07%/°C），适合工作环境温度-65°C~+175°C的严苛工业/汽车电子场景。但需注意：3W额定功率需合理设计散热（如PCB铜箔面积），且不可用于高频开关或大电流稳压主回路。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 56V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ56D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 42.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 56V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 50 欧姆 |
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![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/FP-301 1 1／2" WT 100'.jpg)
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