Datasheet下载- 型号： 3EZ56D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ56D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ56D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ56D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ56D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ56D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ56D2E3/TR12是一款56V、1W额定功率的齐纳二极管（单极型），采用DO-41封装，AEC-Q200兼容（适用于汽车级应用），具有±2%精密容差和低动态阻抗。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低压电源系统中为ADC参考源、传感器供电电路或运算放大器偏置电路提供稳定56V基准电压； 2. 过压保护（OVP）钳位：与TVS或限流电阻配合，用于工业控制板、通信接口（如RS-485收发器供电轨）或DC-DC转换器输出端，防止瞬态高压损坏后级器件； 3. 汽车电子系统：凭借AEC-Q200认证，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）及LED车灯驱动电路中的稳压/箝位环节； 4. 测试与测量设备：在便携式校准仪或高精度电源中作为可信赖的56V电压基准点。 该器件工作温度范围宽（–65°C至+175°C），可靠性高，适合对稳定性、长期漂移和高温性能有要求的工业及汽车环境。注意：实际应用中需确保功耗不超过1W（即平均电流≤17.9mA），并合理设计散热与限流措施。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 56V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ56D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 42.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 56V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 50 欧姆 |
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