Datasheet下载- 型号： 3EZ56D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ56D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ56D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ56D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ56D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ56D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ56D10E3/TR12是一款56V、1W额定功率的单齐纳二极管，采用DO-41封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 稳压与基准电压源：用于低压模拟电路、传感器供电或ADC/DAC参考电压的简易稳压，提供稳定56V基准（需配合限流电阻使用）； 2. 过压保护（OVP）钳位：在电源输入端或敏感IC引脚处并联使用，当瞬态电压超过56V时导通泄放能量，防止后级器件损坏； 3. 浪涌抑制与ESD防护辅助：配合TVS或压敏电阻构成多级防护，吸收中等能量的脉冲干扰（如IEC 61000-4-4群脉冲）； 4. 反馈环路电压箝位：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈或误差放大器中，限制反馈信号电压幅值，提升系统稳定性； 5. 工业控制与通信接口保护：适用于PLC模块、RS-485收发器等场景，对48V/56V总线系统提供冗余电压钳位。 注意：该器件为通用型齐纳管，不适用于高精度或低温漂要求场合；实际应用中需严格计算功耗与散热，避免持续工作在接近1W极限状态。TR12表示卷带包装，适用于自动贴片生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 56V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ56D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 42.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 56V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 50 欧姆 |
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