Datasheet下载- 型号： 3EZ51DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ51DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ51DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ51DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ51DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ51DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ51DE3/TR12是一款51V、3W表面贴装齐纳二极管（DO-41封装，卷带包装）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为ADC参考源、传感器供电或运放偏置电路提供稳定51V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或可控硅配合，用于工业控制板、通信设备输入端的瞬态过压钳位，防止后级电路损坏； 3. 浪涌吸收与箝位：在继电器线圈、电机驱动等感性负载关断时吸收反向电动势，抑制电压尖峰； 4. 电源反馈环路：在离线式开关电源（如AC-DC适配器）的光耦反馈侧，辅助设定输出电压精度； 5. 测试与校准设备：作为便携式仪器中的可重复电压参考点，满足±5%容差要求（典型Zener容差为±5%）。 该器件具备良好的温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C）和可靠的老化特性，适用于工业温度范围（–65°C 至 +175°C），常见于工业自动化、电信基础设施、医疗设备及汽车电子（非安全关键系统）等对成本与可靠性兼顾的应用场景。注意：需配合限流电阻使用，避免超过3W额定功耗。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 51V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ51DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 38.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 51V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 48 欧姆 |
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