【未分类_3EZ51D5/TR8】封装/厂家_3EZ51D5/TR8中文资料_价格

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型号： 3EZ51D5/TR8
制造商： American Microsemiconductor, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ51D5/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ51D5/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ51D5/TR8封装/规格：未分类，暂无。您可以下载3EZ51D5/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ51D5/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ51D5/TR8是一款51V、3W表面贴装齐纳二极管（DO-41封装，TR8表示编带卷装）。其典型应用场景包括：

1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为ADC参考源、传感器供电或运放偏置电路提供稳定51V基准电压；  
2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或MOSFET配合构成浪涌保护电路，当输入电压异常升高至51V时导通分流，保护后级IC或负载；  
3. 电平钳位与限幅：在信号调理电路中限制模拟信号峰值（如工业4–20mA接口、RS-485收发器保护端），防止超范围电压损坏器件；  
4. 电源反馈环路：用于离线式AC-DC适配器或DC-DC转换器的次级侧稳压反馈网络（需搭配光耦），提升输出精度与动态响应；  
5. ESD/瞬态抑制辅助：虽非专用TVS，但在低成本、低速场合可作为二级防护元件，吸收小能量脉冲（如IEC 61000-4-2接触放电≤2kV场景）。

该器件具备±5%电压容差、低动态阻抗（典型值75Ω）、良好温度稳定性（TCV ≈ +0.06%/°C），适用于工业控制、通信电源、仪器仪表及汽车电子（非安全关键系统）等中高可靠性场景。注意：其3W功率需合理设计散热（PCB铜箔面积≥25mm²），且不适用于高频或大电流稳压主回路。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE ZENER 3W 51V 5% DO-41
产品分类	单二极管/齐纳
品牌	Microsemi Commercial Components Group
数据手册	http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf
产品图片
产品型号	3EZ51D5/TR8
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同If时的电压-正向(Vf)	1.2V @ 200mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	500nA @ 38.8V
供应商器件封装	DO-41
功率-最大值	3W
包装	带卷（TR）
安装类型	通孔
容差	±5%
封装/外壳	DO-204AL，DO-41，轴向
工作温度	-65°C ~ 150°C
标准包装	1,500
电压-齐纳（标称值）(Vz)	51V
阻抗（最大值）(Zzt)	48 欧姆