Datasheet下载- 型号： 3EZ51D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ51D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ51D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ51D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ51D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ51D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ51D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的 51V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±2%精密容差（“D”档）和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）、电源管理IC提供高稳定性51V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：在DC-DC转换器、工业电源或通信设备输入端，配合TVS或MOSFET实现51V钳位保护，防止后级器件因浪涌或反接损坏； 3. 浪涌吸收与箝位：在继电器线圈、电机驱动等感性负载关断时，吸收反电动势，抑制电压尖峰； 4. 精密限幅电路：在测试仪器、音频设备或数据采集系统中，用于限制信号幅度，保障前端电路安全； 5. 工业与通信设备：适用于需宽温（-65°C~+175°C）、高可靠性及AEC-Q200兼容性的场景（注：该型号非车规，但常用于工业控制、基站电源、军工模块等）。 其TR8卷带包装便于自动化贴片生产，3W功率能力支持中等电流稳压需求（典型测试电流IZ=37mA）。需注意散热设计以维持长期稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 51V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ51D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 38.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 51V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 48 欧姆 |
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