Datasheet下载- 型号： 3EZ51D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ51D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ51D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ51D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ51D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ51D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ51D2/TR8是一款51V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 稳压与参考电压源：在低压电源或模拟电路中提供稳定的51V基准电压，适用于工业传感器信号调理、ADC/DAC参考源等对精度要求适中的场合。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或限流电阻配合，用于保护后级敏感器件（如MCU、运放、通信接口）免受瞬态过压（如感应尖峰、ESD耦合）损害，尤其适合DC供电总线（如48V工业系统）的钳位防护。 3. 电压箝位与波形整形：在开关电源反馈环路、PWM驱动电路或音频限幅器中，实现输出电压上限限制或信号削峰。 4. 替代传统插件式齐纳管：因采用SMA封装且带/TR8卷带包装，适用于自动化贴片产线，广泛用于通信电源模块、LED驱动器、PLC电源单元及车载辅助电源等空间受限、需量产可靠性的工业设备。 注意：该器件额定功率为3W，需确保PCB铜箔散热面积充足（推荐≥100mm²焊盘），避免长期满载导致温升超标；不适用于高频或大电流稳压场景，亦不可直接替代高精度（如±1%）或低温漂（如LTZ系列）基准器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 51V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ51D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 38.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 51V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 48 欧姆 |
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