Datasheet下载- 型号： 3EZ51D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ51D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ51D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ51D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ51D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ51D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ51D10E3/TR8是一款51V、1W额定功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，具有±5%电压容差和AEC-Q200认证（适用于汽车级应用）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）中提供稳定51V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端钳位瞬态高压（如工业控制板、通信接口电源轨）； 3. 汽车电子系统：凭借AEC-Q200认证，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动电路中的稳压/箝位环节； 4. 工业电源与仪表：在开关电源反馈回路、线性稳压器辅助偏置或电平转换电路中实现简单可靠的电压箝位； 5. 浪涌抑制与ESD防护辅助：作为次级保护器件，吸收持续性过压（非高速ESD），延长主防护器件寿命。 该器件工作温度范围宽（-65℃~+175℃），可靠性高，适合对成本敏感且需基础稳压/保护功能的中低频应用。注意：不适用于高频或大电流动态负载场景，设计时需确保功耗不超过1W并留足散热裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 51V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ51D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 38.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 51V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 48 欧姆 |
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