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产品简介:
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Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ51D10/TR8是一款51V、1W表面贴装齐纳二极管(单管),采用DO-214AC(SMA)封装,具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括: 1. 稳压与基准电压源:在低压电源系统中为运算放大器、ADC/DAC或传感器电路提供稳定的51V参考电压;适用于要求中等精度、非高功率的基准设计。 2. 过压保护(OVP):与限流电阻配合,用作简单可靠的输入端箝位器件,防止后级IC(如MCU、接口芯片)因瞬态高压(如ESD、感应浪涌)而损坏,常见于工业控制板、通信模块前端。 3. 电压检测与阈值设定:在电源监控电路中作为“电压比较触发点”,例如当某路DC总线电压超过51V时导通并驱动保护逻辑(如关断MOSFET或触发中断)。 4. 反馈环路补偿:在开关电源(如反激式适配器)的光耦反馈路径中,辅助设定输出过压保护阈值,提升系统可靠性。 需注意:该器件额定功率仅1W,不适用于持续大电流稳压;实际应用中应留足降额余量(建议≤0.5W长期工作),并确保PCB散热良好。TR8表示卷带包装,适合自动化贴片生产。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 51V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ51D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 38.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 51V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 48 欧姆 |