【未分类_3EZ51D/TR8】封装/厂家_3EZ51D/TR8中文资料_价格

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型号： 3EZ51D/TR8
制造商： American Microsemiconductor, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ51D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ51D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ51D/TR8封装/规格：未分类，暂无。您可以下载3EZ51D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ51D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ51D/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为51V，额定功率3W（DO-41封装），采用TR8卷带包装，适用于自动化贴片生产。

其主要应用场景包括：  
1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为运算放大器、ADC/DAC或传感器电路提供稳定参考电压；  
2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，钳位瞬态高压（如浪涌、ESD），保护后级IC（如MCU、通信接口芯片）；  
3. 电源反馈环路：在非隔离式DC-DC转换器（如反激辅助绕组反馈）中作为简单稳压采样元件；  
4. 工业控制与仪表：用于4–20mA电流环路的供电稳压、传感器调理电路的偏置设定；  
5. 消费电子与通信设备：在机顶盒、光模块、基站电源板中实现低成本、高可靠性的局部稳压或电压箝位。

该器件具有良好的温度稳定性（典型TC ≈ ±0.06%/°C）、低动态阻抗及AEC-Q200兼容性（部分批次），适用于工业级（−55°C 至 +175°C）及严苛环境。注意：实际应用中需校核功耗（P = Vz × Iz），避免超温，并建议并联滤波电容以抑制高频噪声。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE ZENER 3W 51V 20% DO-41
产品分类	单二极管/齐纳
品牌	Microsemi Commercial Components Group
数据手册	http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf
产品图片
产品型号	3EZ51D/TR8
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同If时的电压-正向(Vf)	1.2V @ 200mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	500nA @ 38.8V
供应商器件封装	DO-41
功率-最大值	3W
包装	带卷（TR）
安装类型	通孔
容差	±20%
封装/外壳	DO-204AL，DO-41，轴向
工作温度	-65°C ~ 150°C
标准包装	1,500
电压-齐纳（标称值）(Vz)	51V
阻抗（最大值）(Zzt)	48 欧姆