Datasheet下载- 型号： 3EZ5.6D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.6D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.6D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.6D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.6D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.6D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ5.6D5E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）生产的一款单齐纳二极管，标称稳压值为 5.6 V，功率为 3 W，采用 DO-41 塑封轴向封装，带卷带编带包装（TR8 表示卷带规格）。其主要应用场景包括： - 电压基准与稳压：在低功耗、非精密场合提供稳定的 5.6 V 参考电压，常用于线性稳压器的反馈分压网络或简易并联稳压电路中。 - 过压保护（OVP）：与限流电阻配合，用作电源输入端的瞬态电压抑制（TVS 辅助功能），防止后级电路因浪涌或反接导致的过压损坏。 - 信号电平钳位：在模拟/数字接口电路中，将信号峰值限制在约 ±5.6 V 范围内，保护 ADC、MCU I/O 或运算放大器输入端。 - 电源指示与简单稳压电源：在电池供电设备（如仪表、传感器节点）中，为 LED 驱动或低功耗逻辑电路提供粗略稳压。 该器件具有较陡的击穿特性（典型动态阻抗约 4 Ω）、良好温度稳定性（5.6 V 接近硅器件零温度系数点），适合对成本和尺寸敏感、精度要求不苛刻（容差±5%，即 5.32–5.88 V）的工业控制、消费电子及通信模块辅助电源设计。注意需严格匹配限流电阻以确保功耗不超过 3 W，并避免长期工作在最大额定条件下。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.6V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.6D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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