Datasheet下载- 型号： 3EZ5.6D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.6D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.6D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.6D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.6D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.6D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ5.6D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 5.6V、3W 表面贴装齐纳二极管，具有 ±5% 容差、低动态阻抗和高可靠性。其典型应用场景包括： - 电压基准与稳压：为低压模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC 参考源）提供稳定 5.6V 基准电压，适用于对精度和温漂有一定要求的工业测量系统。 - 过压保护（OVP）：并联于敏感器件（如MCU I/O口、通信接口ESD防护电路后端），在瞬态过压（如电源浪涌、ESD）时钳位至约5.6V，配合限流电阻实现简单可靠的初级保护。 - 电源轨箝位与反馈控制：用于线性稳压器（如LDO）的反馈分压网络中，或开关电源次级侧电压检测回路，辅助实现精确输出电压设定与稳压。 - 温度补偿电路：5.6V 齐纳管具有近零温度系数（在特定工作电流下），常与正温度系数元件（如普通二极管）搭配，用于精密基准源的温补设计。 该器件采用 DO-214AC（SMA）封装，支持自动贴片生产；TR12 表示卷带包装，适用于批量制造。注意其最大功耗为3W，需确保PCB散热设计合理，避免长期满载导致热失效。不适用于高频或大电流动态钳位场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.6V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.6D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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