Datasheet下载- 型号： 3EZ5.6D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.6D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.6D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.6D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.6D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.6D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ5.6D10/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的一款单齐纳二极管，标称稳压值为 5.6 V，功率为 3 W，采用 DO-41 塑封轴向封装，带“D10”表示容差 ±10%（即稳压范围约 5.04–6.16 V），TR12 表示卷带包装（12,000 只/卷）。 该器件主要应用于中低功率、成本敏感的电压基准与过压保护场景，典型用途包括： ✅ 线性稳压器的基准源：为三端稳压器（如78Lxx系列）或分立调整管电路提供稳定参考电压； ✅ 电源输入端的过压钳位保护：在 5 V 系统（如 MCU 供电、传感器接口）中，配合限流电阻抑制瞬态浪涌（如 ESD、开关噪声），防止后级芯片损坏； ✅ 简单稳压/电平箝位电路：用于信号调理电路中将模拟信号限幅至安全电压范围（如 ADC 输入保护）； ✅ 低成本替代方案：在对精度要求不高（±10%可接受）、无需低温漂或高可靠性的工业控制板、消费电子电源模块中，替代更高规格齐纳管以降低成本。 需注意：其功率仅 3 W，不适用于持续大电流稳压；DO-41 封装散热能力有限，实际使用时须确保功耗 ≤（Vz × Iz）≤ 3 W，并留有裕量；长期工作建议 Iz 控制在 10–100 mA 区间以兼顾稳定性与寿命。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.6V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.6D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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