Datasheet下载- 型号： 3EZ5.1D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.1D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.1D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.1D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.1D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.1D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ5.1D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 5.1V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定5.1V基准电压，具备良好温度稳定性（典型TC ≈ ±0.06%/°C）和低动态阻抗（≈7Ω），适合精度要求中等的基准需求。 2. 过压保护（OVP）与箝位：常用于电源输入端或敏感IC引脚（如MCU I/O、通信接口），将瞬态电压箝位在5.1V附近，配合限流电阻抑制ESD或浪涌，保护后级电路。 3. 电源稳压辅助：在低成本线性稳压器（如LDO）前级或反馈网络中，作为简易稳压元件或误差检测基准，适用于对效率要求不高但需可靠性的工业控制板、仪器仪表电源模块。 4. LED驱动限流/分压：在恒流驱动电路中用作电压参考或反馈采样点，或在分压网络中提供稳定偏置点。 注：该器件为通用型齐纳管，不适用于高精度基准（如需ppm级温漂建议选用专用基准IC），且需注意功耗限制（最大3W，实际应用需降额设计并考虑散热）。Microsemi原厂已整合入Microchip，技术支持及供货由Microchip提供。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.1V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.1D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 3.5 欧姆 |
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