Datasheet下载- 型号： 3EZ5.1D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.1D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.1D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.1D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.1D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.1D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ5.1D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 5.1V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AA（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定5.1V基准电压，适用于对精度和温漂要求适中的场合。 2. 过压保护（OVP）：并联于敏感IC电源端，当输入电压异常升高（如浪涌或LDO失效），齐纳击穿导通，配合限流电阻钳位电压，防止后级器件损坏。 3. ESD与瞬态抑制辅助：虽非专用TVS，但在低成本、低速接口（如I²C、按键检测电路）中可作为二级防护，吸收小能量脉冲。 4. 电源反馈环路：在简易开关电源或线性稳压器（如TL431替代方案）中用于输出电压采样与误差检测。 5. 工业控制与通信模块：广泛用于PLC输入/输出模块、RS-485收发器供电轨稳压、嵌入式设备电源监控等场景，得益于其3W功率能力、±5%电压容差及-65°C~+175°C宽温工作范围。 注：该器件不适用于高频或高精度基准应用（如精密仪器），亦不可替代TVS应对大能量雷击浪涌。设计时需注意散热及串联限流电阻选型。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.1V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.1D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 3.5 欧姆 |
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