【未分类_3EZ5.1D10/TR8】封装/厂家_3EZ5.1D10/TR8中文资料_价格

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型号： 3EZ5.1D10/TR8
制造商： American Microsemiconductor, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.1D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.1D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.1D10/TR8封装/规格：未分类，暂无。您可以下载3EZ5.1D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.1D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ5.1D10/TR8 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的一款单齐纳二极管，标称稳压值为 5.1 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），容差通常为 ±5%，具有良好的温度稳定性和低动态阻抗。

其典型应用场景包括：  
✅ 电压基准与稳压电路：在低功耗线性稳压器或分立式稳压电路中，为运放、ADC、传感器等提供稳定的 5.1 V 参考电压；  
✅ 过压保护（OVP）与钳位：并联于敏感电路（如 MCU I/O 口、通信接口）前端，将瞬态电压钳位于 5.1 V 左右，防止静电（ESD）或浪涌损坏后级器件；  
✅ 电源轨监测与反馈：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈回路中，配合光耦实现初级侧电压采样与稳压控制；  
✅ 低成本嵌入式系统电源管理：适用于工业控制板、仪表、LED 驱动电源等对成本敏感、无需高精度但需可靠稳压的场合；  
✅ 替代型设计兼容：因 DO-41 封装和通用参数，常作为 1N5231B、BZX55-C5V1 等的功率升级替代方案，提升耐浪涌能力。

注意：该器件为玻璃钝化结结构，具备一定抗浪涌能力（如 8.3 ms 单次浪涌电流可达 ~1.5 A），但不适用于高频或大电流动态调节场景。实际应用中需合理选配限流电阻，并考虑功耗与散热（尤其在连续稳压工况下）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE ZENER 3W 5.1V 10% DO-41
产品分类	单二极管/齐纳
品牌	Microsemi Commercial Components Group
数据手册	http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf
产品图片
产品型号	3EZ5.1D10/TR8
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同If时的电压-正向(Vf)	1.2V @ 200mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	5µA @ 1V
供应商器件封装	DO-41
功率-最大值	3W
包装	带卷（TR）
安装类型	通孔
容差	±10%
封装/外壳	DO-204AL，DO-41，轴向
工作温度	-65°C ~ 150°C
标准包装	1,500
电压-齐纳（标称值）(Vz)	5.1V
阻抗（最大值）(Zzt)	3.5 欧姆