Datasheet下载- 型号： 3EZ47D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ47D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ47D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ47D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ47D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ47D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ47D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为47 V，功率为3 W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8表示卷带盘装）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗、非精密电源中为电路提供稳定的47 V参考电压，如传感器供电、模拟前端偏置或辅助电源轨。 2. 过压保护（OVP）：常与晶闸管（SCR）或TVS配合构成撬棒（crowbar）电路，在输入电压异常升高时触发保护，防止后级器件损坏。 3. 浪涌箝位：用于工业控制、通信接口（如RS-485总线端口）或电源输入端，限制瞬态高压（如ESD、EFT或感应浪涌），将电压箝位在约47 V附近，提升系统鲁棒性。 4. 反馈环路补偿：在开关电源（如反激式转换器）的光耦反馈路径中，作为稳压元件参与输出电压采样与误差放大，提高稳压精度与响应稳定性。 5. 替代与兼容设计：因Microsemi该系列具备良好温度稳定性（典型TC ≈ ±0.06%/°C）和可靠老化特性，常被用于军工、航天及工业设备中替换老旧型号，满足高可靠性要求。 注意：该器件为玻璃钝化结构，具备较好反向击穿一致性与长期稳定性，但不适用于高频或大动态电流场景；实际应用需合理设计限流电阻，并考虑功耗与散热。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 47V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ47D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 35.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 47V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 38 欧姆 |
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